Loading...

Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Produkta tonis un faktiskā krāsa var atšķirties no attēlā redzamā, jo attēli ir ilustratīvi. Produkta apraksts ir vispārīgs un, iespējams, tajā nav iekļautas visas produkta īpašības.

Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

267,36 €
Ikm. maksa no 7.78
2068307

MZ-V9P1T0GW

8806094594645

Piegāde 2026-08-05 Latvijas teritorijā +1 diena

Skaits
Šī prece Jūs ieinteresēja
(Lasīt pakalpojumu sniegšanas noteikumus)
Samsung MZ-V9P1T0. SDD diskdziņa kapacitāte: 1 TB, SSD formas standarts: M.2, Lasīšanas ātrums: 7450 MB/s, Rakstīšanas ātrums: 6900 MB/s, Komponente: PC (dators)
Īpašības
Lasīšanas ātrums 7450 MB/s
Rakstīšanas ātrums 6900 MB/s
SDD diskdziņa kapacitāte 1 TB
Vidējais laiks starp kļūmēm (MTBF) 1500000 h
S.M.A.R.T. atbalsts
Atmiņas tips V-NAND MLC
Drošības algoritma atbalstīts 256-bit AES
TRIM atbalsts
Nejauša rakstīšana (4KB) 1550000 Ieejas/Izejas operācijas sekundē
Nejauša lasīšana (4KB) 1200000 Ieejas/Izejas operācijas sekundē
Aparatūras šifrēšana
SSD formas standarts M.2
NVMe
NVMe versija 2.0
Komponente PC (dators)
Atbalsta ierīces snaudas režīmu
Interfeiss PCI Express 4.0
M.2 SSD izmērs 2280 (22 x 80 mm)
Enerģijas pārvaldība
Darbības spriegums 3,3 V
Strāvas patēriņš (vidējais) 5,4 W
Strāvas patēriņš (maks) 7,8 W
Ārējās vides apstākļi
Darbības temperatūras amplitūda (T-T) 0 - 70 °C
Operacionālais trieciens 1500 G
Svars&dimensijas
Svars 28 g
Dziļums 8,2 mm
Platums 80 mm
Augstums 24,3 mm