Loading...

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Tuotteen sävy ja todellinen väri voivat poiketa kuvassa esitetystä, koska kuvat ovat havainnollistavia. Tuotekuvaus on yleinen eikä välttämättä sisällä kaikkia tuotteen ominaisuuksia.

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

766,72 €
Kuukausimaksu alkaen 20.64
3604130

MZ-VAP4T0CW

8806095811659

Shipping 3-5 w.d

Määrä
Oletko kiinnostunut tästä tuotteesta ?
(Lue käyttöehdot)
Samsung MZ-VAP4T0. SSD-kapasiteetti: 4 TB, SSD-malli: M.2, Lukunopeus: 14800 MB/s, Kirjoitusnopeus: 13400 MB/s, Komponentti (tuotteelle): PC/pelikonsoli
Ominaisuudet
Lukunopeus 14800 MB/s
Kirjoitusnopeus 13400 MB/s
SSD-kapasiteetti 4 TB
Keskimääräinen vikaantumisaika 1500000 h
S.M.A.R.T. tuki Kyllä
Muistityyppi V-NAND TLC
Tietoturva-algoritmit 256-bit AES
TRIM-tuki Kyllä
Random write (4KB) 2600000 IOPS
Random read (4KB) 2200000 IOPS
Laitteistosalaus Kyllä
PCI Express-käyttöliittymän tietokaistat x4
SSD-malli M.2
NVMe Kyllä
NVMe -versio 2.0
Komponentti (tuotteelle) PC/pelikonsoli
DevSlp (laite lepotilassa) -tuki Kyllä
Käyttöliittymä PCI Express 5.0
M.2 SSD:n koko 2280 (22 x 80 mm)
Virranhallinta
Käyttöjännite 3,3 V
Virrankulutus (luku) 9 W
Virrankulutus (kirjoitus) 8,2 W
Virrankulutus (lepotila) 0,007 W
Virran kulutus DevSlp (device sleep) 5,7 mW
Keskimääräinen virrankulutus (luku) 9 W
Keskimääräinen virrankulutus (luku) 8,2 W
Ympäristöolosuhteet
Käyttölämpötila (T-T) 0 - 70 °C
Iskunkestävyys käytön aikana 1500 G
Paino ja mitat
Paino 30 g
Tuotteen syvyys 8,88 mm
Tuotteen leveys 80,2 mm
Tuotteen korkeus 80,2 mm
Muut ominaisuudet
Takuuaika 5 vuosi/vuosia
Pakkaustiedot
Pakkaustyyppi Laatikko