Loading...

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Produkta tonis un faktiskā krāsa var atšķirties no attēlā redzamā, jo attēli ir ilustratīvi. Produkta apraksts ir vispārīgs un, iespējams, tajā nav iekļautas visas produkta īpašības.

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

766,65 €
Ikm. maksa no 20.64
3604130

MZ-VAP4T0CW

8806095811659

Piegāde 3-5 d.d.

Skaits
Šī prece Jūs ieinteresēja
(Lasīt pakalpojumu sniegšanas noteikumus)
Samsung MZ-VAP4T0. SDD diskdziņa kapacitāte: 4 TB, SSD formas standarts: M.2, Lasīšanas ātrums: 14800 MB/s, Rakstīšanas ātrums: 13400 MB/s, Komponente: Datora / spēļu konsole
Īpašības
Lasīšanas ātrums 14800 MB/s
Rakstīšanas ātrums 13400 MB/s
SDD diskdziņa kapacitāte 4 TB
Vidējais laiks starp kļūmēm (MTBF) 1500000 h
S.M.A.R.T. atbalsts
Atmiņas tips V-NAND TLC
Drošības algoritma atbalstīts 256-bit AES
TRIM atbalsts
Nejauša rakstīšana (4KB) 2600000 Ieejas/Izejas operācijas sekundē
Nejauša lasīšana (4KB) 2200000 Ieejas/Izejas operācijas sekundē
Aparatūras šifrēšana
PCI Express interfisa datu joslas x4
SSD formas standarts M.2
NVMe
NVMe versija 2.0
Komponente Datora / spēļu konsole
Atbalsta ierīces snaudas režīmu
Interfeiss PCI Express 5.0
M.2 SSD izmērs 2280 (22 x 80 mm)
Enerģijas pārvaldība
Darbības spriegums 3,3 V
Jaudas patēriņš (lasa) 9 W
Jaudas patēriņš (raksta) 8,2 W
Enerģijas patēriņš (idle) 0,007 W
Jaudas patēriņš, ierīcei atrodoties miega režīmā 5,7 mW
Vidējais jaudas patēriņš (lasīšana) 9 W
Vidējais jaudas patēriņš (rakstīšana) 8,2 W
Ārējās vides apstākļi
Darbības temperatūras amplitūda (T-T) 0 - 70 °C
Operacionālais trieciens 1500 G
Svars&dimensijas
Svars 30 g
Dziļums 8,88 mm
Platums 80,2 mm
Augstums 80,2 mm
Papildus informācija
Garantijas periods 5 gads(i)
Informācija par iepakojumu
Iepakojuma tips Kaste